Transistore: berrikuspenen arteko aldeak

[[Fitxategi:Transistor-photo.JPG|righteskuinera|thumb|250px|Zenbait transistore, kapsula diferentetan.]]

'''Transistoreak'''<ref>[http://www.ehu.es/ehg/cgi/zehazki/bila?m=has&z=transistor Zehazki Hiztegia,] Euskal Herriko Unibertsitatea</ref> solido-egoerako dispositibo elektronikoak dira, hau da, solidoa den material [[Erdieroale|erdieroalezerdieroale]]z ([[Silizio]]z, batik bat) eginda daude. Gehienek hiru terminal dauzkate: mutur gisako bi eta kontrol-terminal bat. Muturren arteko [[Erresistentzia elektriko|erresistentziaren]] balioa kontrol-terminalaren bitartez aldatzeko ahalmenean datza transistoreen erabilgarritasuna. Hain zuzen ere, 'transistore' terminoa ''transfer resistor'' hitzen kontrakzioa da, ahalmen hori aditzera ematen duena.

Bestalde, azpimarratzekoa da portaera interesgarri hori gauzatzeko, transistoreak [[Transistoretransistore efektu|transistore efektuaz]]az edota [[Eremueremu-efektua|eremu-efektuaz]]z balia daitezkeela. Gertakizun fisiko horien garrantziaren erakusle, transistore efektuaren aurkikuntzak merezi izan zuen [[1956]]ko fisikako [[Nobel Sariak|Nobel Saria]] daukagu<ref>1956. urteko fisikako Nobel saridunak [http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956] {{en}}</ref>.

[[Fitxategi:Replica-of-first-transistor.jpg|thumbnailthumb|transistore-replica]]

Aspaldi honetan, ordea, laugarren transistore-mota bat agertu zaigu merkatuan, [[Ateate isolatudun transistore bipolar|ate isolatudun transistore bipolarra]]ra (laburdura: [[:en:Insulated gate bipolar transistor|IGBT]]), gero eta aplikazio-esparru zabalagoa eskuratzen dagoena. Kontua da IGBTa bai transistore efektuaz bai eremu-efektuaz baliatzen dela, eta, beraz, kategoria bi horietan kabitzen dela, eta ezeinetan ere ez, aldi berean. Alegia:

* Korrontean parte hartzen duten [[Eramaile Elektrikoa|eramaile]]-motak: mota bakar batekoak ([[Elektroi|elektroiakelektroi]]ak ''edo'' [[Hutsune (Elektronika)|hutsuneak]]) badabiltza, ''monopolar'' esaten zaie, eta mota bietakoak (elektroiak ''eta'' hutsuneak) badabiltza, ''bipolar''.

Image:BJT NPN symbol (case).svg|NPN [[Junturadun transistore bipolar|Juntura-transistore bipolarbipolarra]]ra (BJT)

Image:BJT_PNP_symbol_(case).svg|PNP [[Junturadun transistore bipolar|juntura-transistore bipolarbipolarra]]ra (BJT)

Image:IGFET N-Ch Enh Labelled simplified.svg|[[MOSFET|Metal oxido erdieroale eremu-efektuko transistoretransistorea]]a (MOSFET)

[[FileFitxategi:Bardeen Shockley Brattain 1948.JPG|thumb|leftezkerrera|[[John Bardeen]], [[William Shockley]] eta [[Walter Brattain]] [[Bell Laborategiak|Bell Laborategietan]], 1948.]]

Hiru elektrodoko ([[triodo]]) [[balbula termoioniko|huts balbularen]] ordezkoa den transistore bipolarra [[Ameriketako Estatu Batuak|AEBtako]] [[Bell Laborategiak|Bell Laborategietan]] asmatu zuten [[1947]]an [[Walter Houser Brattain]], [[John Bardeen]] eta [[William Shockley|William Bradford Shockleyk]]<nowiki/>ek. Hirurek [[Fisikako Nobel Saria]] irabazi zuten [[1956]]an asmakuntza honengatik. Transistorearen sorrerak iraultza suposatu zuen [[informatika|informatikan]]n, transistoreak baitira [[Txip|txipentxip]]en oinarria. Txipak [[Prozesatzeko unitate zentral|prozesasore unitate zentralaren]], [[Memoria (informatika)|memoriaren]] oinarri dira, besteak beste. Hobekuntza teknologikoari esker geroz eta transistore txikiagoak eraiki ahal izan dira eta horrek beste hobekuntza teknologikoekin batera (teknologia magnetikoa, optika eta magnetiko-optikozko [[Diskodisko gogor|disko gogorrak]]rak, [[Disko konpaktu|CD]] eta [[DVD]]) informatikaren zabalkuntza ekarri du.