13:38, 24 abendua 2011ko berrikusketa aldatu ZéroBot (eztabaida \| ekarpenak) 68.284 edits t r2.7.1) (robota Erantsia: as:ট্ৰানজিষ্টৰ ← Aurreko ezberdintasuna		07:28, 6 urtarrila 2012ko berrikusketa aldatu desegin TheklanBot (eztabaida \| ekarpenak) Bot-ak, Administratzaileak 2.164.308 edits t Robota: Aldaketa kosmetikoak Hurrengo ezberdintasuna →
1. lerroa: [[Fitxategi:Transistor-photo.JPG\|right\|thumb\|250px\|Zenbait transistore, kapsula diferentetan.]] '''Transistoreak'''<ref>[http://www.ehu.es/ehg/cgi/zehazki/bila?m=has&z=transistor Zehazki Hiztegia,] Euskal Herriko Unibertsitatea</ref> solido-egoerako dispositibo elektronikoak dira, hau da, solidoa den material [[Erdieroale\|erdieroalez]] ([[Silizio~~\|Silizioz~~]]z, batik bat) eginda daude. Gehienek hiru terminal dauzkate: mutur gisako bi eta kontrol-terminal bat. Muturren arteko [[Erresistentzia Elektrikoa\|erresistentziaren]] balioa kontrol-terminalaren bitartez aldatzeko ahalmenean datza transistoreen erabilgarritasuna. Hain zuzen ere, 'transistore' terminoa ''transfer resistor'' hitzen kontrakzioa da, ahalmen hori aditzera ematen duena. Bestalde, azpimarratzekoa da portaera interesgarri hori gauzatzeko, transistoreak [[Transistore efektua\|transistore efektuaz]] edota [[Eremu-efektua\|eremu-efektuaz]] balia daitezkeela. Gertakizun fisiko horien garrantziaren erakusle, transistore efektuaren aurkikuntzak merezi izan zuen [[1956~~\|1956ko~~]]ko fisikako [[Nobel Saria]] daukagu<ref>1956. urteko fisikako Nobel saridunak [http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956] {{en}}</ref>. == Motak eta Sailkapena == 8. lerroa: Oraintsurarte, hiru transistore-mota nagusi hauek bereizten izan dira: * [[Junturadun transistore bipolar]]ra (laburdura: [[:en:Bipolar junction transistor\|BJT]]). * [[Junturadun eremu-efektuko transistore]]a (laburdura: [[:en:Junction field-effect transistor\|JFET]]). * [[Ate isolatudun eremu-efektuko transistore]]a (laburdura: [[:en:Insulated gate field-effect transistor\|IGFET]]), gehien-gehienetan '[[MOS egituradun eremu-efektuko transistore]]' (laburdura: [[:en:Metal–Oxide–Semiconductor field-effect transistor\|MOSFET]]) esaten bazaie ere, atearen isolamendua gauzatzeko egitura zein den azpimarratuz. Horiek horrela, liburuetan ohikoa da batetik BJTak aztertzea, eta, bestetik, [[:en:Field-effect transistor\|FET]] biak (hau da, JFETak eta MOSFETak); izan ere, BJTak transistore efektuaz eta FETak eremu-efektuaz baliatzen direnez, kategoria bakoitza (BJT, FET) efektu fisiko bati (transistore efektua, eremu-efektua) lotzen zaio. 31. lerroa: Hori dela-eta, sailkatzeko beste irizpide bi hauek nagusitzen ari dira azken urteotan: * Kontrol-terminalaren izaera: isolatugabea bada, ''junturadun'' esaten zaie, eta isolatua bada, ''ate isolatudun'' (horrelakoetan, kontrol-terminalari ''ate'' esaten zaio eta). * Korrontean parte hartzen duten [[Eramaile Elektrikoa\|eramaile]]-motak: mota bakar batekoak ([[Elektroi\|elektroiak]] ''edo'' [[~~Hutsune_~~Hutsune (Elektronika)\|hutsuneak]]) badabiltza, ''monopolar'' esaten zaie, eta mota bietakoak (elektroiak ''eta'' hutsuneak) badabiltza, ''bipolar''. {\| class="wikitable" 53. lerroa: [[Walter Hoser Brattain]], [[John Bardeen]] eta [[William Bradford Shockley]]-k [[1948]]an asmatu zuten (1956 urtean jaso zuten Fisikako Nobel saria) eta iraultza bat izan zen [[informatika]]rako, zeren eta berari esker sortu ziren txipak eta txartel elektronikoak, eta hauekin batera, gero eta trinkoagoak ziren prozesatzeko unitateak. Honi guztiari teknologian izan zen hobekuntza gehitu behar zaio, (teknologia magnetikoa, optika eta magnetiko-optikozko disko gogorrak, [[CD]] eta [[dvd-rom]] ) Gainera, beste tresna eta periferiko batzuk sortu dira ere eta eurei esker ordenadoreak, testuaz gain, irudiak, soinua, grafikoak eta bideoa ere erabili ditzake. == Erreferentziak == {{erreferentzia_zerrenda}} [[Kategoria:Osagai elektronikoak]]

Transistore: berrikuspenen arteko aldeak