18:42, 17 ekaina 2016ko berrikusketa aldatu Lainobeltz (eztabaida \| ekarpenak) Administratzaileak 270.021 edits t →‎Funtzionamendua: +barne loturak ← Aurreko ezberdintasuna		14:11, 19 ekaina 2016ko berrikusketa aldatu desegin Mikelagina (eztabaida \| ekarpenak) 34 edits No edit summary Etiketa: Ikusizko edizioa Hurrengo ezberdintasuna →
50. lerroa: Eremu hau ''V''<sub>GS</sub> < ''V''<sub>th</sub> ematen den kasuetan agertzen da, non ''V''<sub>th</sub> transistorearen atari-tentsioa den. Transistorearen ereduari erreparatuz gero, esango genuke gailua itzalita dagoela. Izan ere, ez dago korronte-jariorik iturri eta drainatzaile artean. Hala ere, beti egongo da korronte-kantitate bat, energia termikoaren ondorioz, ihes-korrontea deitua: :<math> I_D \approx I_{D0}e^{\begin{matrix}\frac{V_{GS}-V_{th}}{nV_{T}} \end{matrix}} </math>[[Fitxategi:MOSFET-Cutoff.svg\|thumb\|erdian\|MOSFETa ebaketa -egoeran ]] ====Lineala==== 65. lerroa: Drainatzaileko tentsioak muga jakin bat gainditzean, ate azpiko eroate-kanala estutu egiten da drainatzailetik gertu, desagerrarazi arte. Momentu honetan, iturri eta drainatzaile arteko korronte-jarioa kontrolatzeko aukera dago, bi terminalen arteko tentsio-ezberdintasuna handituz edo txikituz. Korronteak hartzen duen balioa formula honek adierazten du: :<math>I_D = \frac{\mu_n C_{ox}}{2}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{th})^2 \left(1+\lambda (V_{DS}-V_{DSsat})\right)</math>[[Fitxategi:MOSFET-Saturation.svg\|thumb\|erdian\|MOSFETa asetasun -eremuan]] == Erreferentziak ==

MOSFET: berrikuspenen arteko aldeak