MOSFET: berrikuspenen arteko aldeak
Ezabatutako edukia Gehitutako edukia
t →Sinbologia: +barne lotura |
t →Funtzionamendua: +barne loturak |
||
33. lerroa:
== Funtzionamendua ==
Bi motatako MOSFET transistoreak aurki daitezke, biak MOS egituran oinarrituak. Lehenak aberaste MOSFETak deitzen dira. Atean [[tentsio (elektrizitatea)|tentsioa]] aplikatzean, aberaste MOSFETak drainatzaile eta iturri artean sortzen den kanalean oinarritzen dira.. Aberaste terminoak, karga-garraiatzaileen kopurua handitzearen eraginez lortzen den [[eroankortasun
===MOS egitura===
MOS egitura batean potentzial bat aplikatzean, erdieroalearen kargen berrantolaketa
===MOSFET egitura eta kanal-sorkuntza===
Drainatzaile eta atearen artean dagoen [[kondentsadore elektriko|kondentsadore]] batean kargak metatzean datza MOSFETaren funtzionamendua. Atea gainerako elementu guztietatik isolatuta dago, material dielektrikoz.
MOSFETa n kanalekoa bada, iturri eta drainatzaileko eremuko dopatuak n+ motakoak dira, eta oinarria ''p'' motakoa. Aldiz, MOSFETa ''p'' kanalekoa bada, iturri eta drainatzaileko eremuko dopatuak ''p''+ eremuak dira, eta oinarria ''n'' motakoa. Iturriak izen hori hartzen du, izan ere, bertatik pasatzen dira karga-garraiatzaileak kanalera. Modu berean, karga-garraiatzaileek drainatzailetik uzten dute bidea.
|