MOSFET: berrikuspenen arteko aldeak

Ezabatutako edukia Gehitutako edukia
No edit summary
No edit summary
9. lerroa:
1925ean, Julius Edgar Lilienfeld fisikari austro-hungarriarrak “korronte elektrikoak kontrolatzeko gailu eta metodo baten” patentea eskatu zuen, eta hau kontsideratzen da eremu-efektuko transistoreen lehen aurrekaria.
 
1948an, Walter Houser Brattain eta John Bardeen zientzialari amerikarrek kontaktuzko lehen transistorea patentatu zutenzutenimages.storage.googleapis.com/pdfs/US2524035.pdf|título=Patent US2524035: Three-electrode circuit element utilizing semiconductive materials|fechaacceso=13 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=United States Patent Office}}</ref> Bell laborategientzat. Era berean, Herbert Mataré eta Heinrich Welker alemaniarrek ere Westinghouse laborategientzat lorpen berdina lortu zuten. Transistore hori Bell laborategiek patentatuta zutela konturatzean, “transistron” izeneko elementua jarri zuten produkzioan, Frantziako sare telefonikoan erabiltzeko.
 
[[Fitxategi:MOSFET Structure.png|thumb|Irudi honetan MOSFETaren egitura ageri da: iturria (S), drainatzailea (D), atea (G), oinarria (B) eta atea eta gorputza bereizten duen isolatzailea (zuriz). ]]