MOSFET: berrikuspenen arteko aldeak

Ezabatutako edukia Gehitutako edukia
No edit summary
No edit summary
37. lerroa:
===MOS egitura===
 
MOS egitura batean potentzial bat aplikatzean, erdieroalearen kargen berrantolaketa gertatzen da. Ate eta drainatzaile artean VGB''V''<sub>GB</sub> tentsio positibo bat aplikatzean, agortze-eremu bat sortzen da erdieroale eta atearen artean. Modu honetan, karga-garraiatzaileen eremu aske bat sortuko da. Lehen aipaturiko tentsio hori (VGB''V''<sub>GB</sub>) handiegia bada, inbertsio-eremu bat sortuko da, karga-garraiatzaile negatiboz osatua.
 
===MOSFET egitura eta kanal-sorkuntza===