MOSFET: berrikuspenen arteko aldeak
Ezabatutako edukia Gehitutako edukia
No edit summary |
|||
43. lerroa:
Drainatzaile eta atearen artean dagoen kondentsadore batean kargak metatzean datza MOSFETaren funtzionamendua. Atea gainerako elementu guztietatik isolatuta dago, material dielektrikoz.
MOSFETa n kanalekoa bada, iturri eta drainatzaileko eremuko dopatuak n+ motakoak dira, eta oinarria ''p'' motakoa. Aldiz, MOSFETa ''p'' kanalekoa bada, iturri eta drainatzaileko eremuko dopatuak ''p''+ eremuak dira, eta oinarria ''n'' motakoa. Iturriak izen hori hartzen du, izan ere, bertatik pasatzen dira karga-garraiatzaileak kanalera. Modu berean, karga-garraiatzaileek drainatzailetik uzten dute bidea.
MOSFET baten funtzionamendua hiru operazio-eremu ezberdinetan banandu daiteke, honen terminalen artean dagoen tentsioaren arabera:
61. lerroa:
Kasu hau honako baldintzekin ematen da:
''V''<sub>GS</sub> > ''V''<sub>th</sub> y ''V''<sub>DS</sub> > ( ''V''<sub>GS</sub> – ''V''<sub>th</sub> )
Drainatzaileko tentsioak muga jakin bat gainditzean, ate azpiko eroate-kanala estutu egiten da drainatzailetik gertu, desagerrarazi arte. Momentu honetan, iturri eta drainatzaile arteko korronte-jarioa kontrolatzeko aukera dago, bi terminalen arteko tentsio-ezberdintasuna handituz edo txikituz. Korronteak hartzen duen balioa formula honek adierazten du:
| |||