Wikipedia

Transistore: berrikuspenen arteko aldeak

Nabigazio historia interaktiboa
← Aurreko ezberdintasunaHurrengo ezberdintasuna →
Ezabatutako edukia Gehitutako edukia
IkusizkoaWikitestua
Aurrekoaren garapena. BJT eta FET atalak, orrialde berrietara.
t Atonketa txikiak
1. lerroa:
[[Fitxategi:Transistor-photo.JPG|right|thumb|250px|Zenbait transistore, kapsula diferentetan]]
'''Transistore'''ak solido-egoerako dispositibo elektronikoak dira, hau da, solidoa den material [[Erdieroale|erdieroalez]] ([[SilizioaSilizio|Silizioz]], batik bat) eginda daude. Gehienek hiru terminal dauzkate: mutur gisako bi eta kontrol-terminal bat. Muturren arteko [[Erresistentzia Elektrikoa|erresistentziaren]] balioa kontrol-terminalaren bitartez aldatzeko ahalmenean datza transistoreen erabilgarritasuna. Hain zuzen ere, 'transistore' terminoa ''transfer resistor'' hitzen kontrakzioa da, ahalmen hori aditzera ematen duena.
 
Bestalde, azpimarratzekoa da portaera interesgarri hori gauzatzeko, transistoreak '''[[Transistore Efektuaefektua|transistore efektuaz]]''' edota '''[[Eremu-Efektuaefektua|eremu-efektuaz]]''' balia daitezkeela. Gertakizun fisiko horien garrantziaren erakusle, transistore efektuaren aurkikuntzak merezi izan zuen [[1956|1956ko]] fisikako [[Nobel Saria]] daukagu<ref>[http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956] 1956. urteko fisikako Nobel saridunak (ingelesez)</ref>.
 
== Motak eta Sailkapena ==
8. lerroa:
Oraintsurarte, hiru transistore-mota nagusi hauek bereizten izan dira:
 
*'''[[Junturadun transistore bipolar]]ra''' (laburdura: '''[[:en:Bipolar Junctionjunction Transistortransistor|BJT]]''').
*'''[[Junturadun eremu-efektuko transistore]]a''' (laburdura: '''[[:en:Junction Fieldfield-Effecteffect Transistortransistor|JFET]]''').
*'''[[Ate isolatudun eremu-efektuko transistore]]a''' (laburdura: '''[[:en:Insulated Gategate Fieldfield-effect Transistortransistor|IGFET]]'''), gehien-gehienetan '''[[MOS egituradun eremu-efektuko transistore]]''' (laburdura: '''[[:en:Metal–Oxide–Semiconductor Fieldfield-Effecteffect Transistortransistor|MOSFET]]''') esaten bazaie ere, atearen isolamendua gauzatzeko egitura zein den azpimarratuz.
 
Horiek horrela, liburuetan ohikoa da batetik BJTak aztertzea, eta, bestetik, '''[[:en:Field-effect transistor|FET]]''' biak (hau da, JFETak eta MOSFETak); izan ere, BJTak transistore efektuaz eta FETak eremu-efektuaz baliatzen direnez, kategoria bakoitza (BJT, FET) efektu fisiko bati (transistore efektua, eremu-efektua) lotzen zaio.
 
Aspaldi honetan, ordea, laugarren transistore-mota bat agertu zaigu merkatuan, '''[[Ate isolatudun transistore bipolar|ate isolatudun transistore bipolarra]]''' (laburdura: '''[[:en:insulatedInsulated gate bipolar transistor|IGBT]]'''), gero eta aplikazio-esparru zabalagoa eskuratzen dagoena. Kontua da IGBTa bai transistore efektuaz bai eremu-efektuaz baliatzen dela, eta, beraz, kategoria bi horietan kabitzen dela, eta ezeinetan ere ez, aldi berean. Alegia:
 
{| class="wikitable"
36. lerroa:
|+ Lau transistore-mota nagusiak
|-
| '''Irizpideak''' || BipolarraMonopolarra || MonopolarraBipolarra
|-
| Junturaduna || BJTaJFETa || JFETaBJTa
|-
| Ate isolatuduna || IGBTaMOSFETa || MOSFETaIGBTa
|}
 
"https://eu.wikipedia.org/wiki/Transistore"(e)tik eskuratuta