Transistore: berrikuspenen arteko aldeak
Ezabatutako edukia Gehitutako edukia
Mamia berregituratu dut (EHUko irakaslea naiz). Hurrengo batean jarraituko dut. |
Aurrekoaren garapena. Eta jarraituko dugu... |
||
1. lerroa:
[[Fitxategi:Transistor-photo.JPG|right|thumb|250px|
'''Transistore'''ak solido-egoerako dispositibo elektronikoak dira, hau da, material [[Erdieroale|erdieroalez]] ([[Silizioa|Silizioz]], batik bat) eginda daude. Gehienek hiru terminal dauzkate: mutur gisako bi eta kontrol-terminal bat. Muturren arteko [[Erresistentzia Elektrikoa|
Bestalde, azpimarratzekoa da portaera interesgarri hori gauzatzeko, transistoreak [[Transistore Efektua|transistore efektuaz]] edota [[Eremu-Efektua|eremu-efektuaz]] balia daitezkeela. Gertakizun fisiko horien garrantziaren erakusle, transistore efektuaren aurkikuntzak merezi izan zuen [[1957|1957ko]] fisikako [[Nobel Saria]] daukagu.
== Motak eta Sailkapena ==
Oraintsurarte, hiru transistore-mota nagusi hauek bereizten izan dira:
*'''[[Junturadun Transistore Bipolar|Junturadun transistore bipolarra]]''' (laburdura: '''BJT''', ingelesezko 'bipolar junction transistor'-etik).
*'''[[Junturadun Eremu-efektuko Transistore|Junturadun eremu-efektuko transistorea]]''' (laburdura: '''JFET''', ingelesezko 'junction field-effect transistor'-etik).
*'''[[Ate isolatudun Eremu-efektuko Transistore|Ate isolatudun eremu-efektuko transistorea]]''' (laburdura: '''IGFET''', ingelesezko 'insulated gate field-effect transistor'-etik), gehien-gehienetan '''[[MOS egituradun Eremu-efektuko Transistore|MOS egituradun eremu-efektuko transistore]]''' (laburdura: '''MOSFET''', ingelesezko 'MOS field-effect transistor'-etik) esaten bazaie ere, atearen isolamendua gauzatzeko egitura zein den azpimarratuz.
Horiek horrela, liburuetan ohikoa da batetik BJTak aztertzea, eta, bestetik, FET biak; izan ere, BJTak transistore efektuaz eta FETak eremu-efektuaz baliatzen direnez, kategoria bakoitza (BJT, FET) efektu fisiko bati (transistore efektua, eremu-efektua) lotzen zaio.
Aspaldi honetan, ordea, laugarren transistore-mota bat agertu zaigu merkatuan, '''[[Ate Isolatudun Transistore Bipolarra|ate isolatudun transistore bipolarra]]''' (laburdura: '''IGBT''', ingelesezko 'insulated gate bipolar transistor'-etik), gero eta aplikazio-esparru zabalagoa eskuratzen dagoena. Kontua da IGBTa bai transistore efektuaz bai eremu-efektuaz baliatzen dela, eta, beraz, kategoria bi horietan kabitzen dela, eta ezeinetan ere ez, aldi berean. Alegia:
{| class="wikitable"
|-
! Transistore-mota !! Transistore efekturik? !! Eremu-efekturik?
|-
| [[Junturadun Transistore Bipolarra|BJTa]] || Bai || Ez
|-
| [[Junturadun Eremu-efektuko Transistorea|JFETa]] || Ez || Bai
|-
| [[MOS egituradun Eremu-efektuko Transistorea|MOSFETa]] || Ez || Bai
|-
| [[Ate Isolatudun Transistore Bipolarra|IGBTa]] || Bai || Bai
|}
* Kontrol-terminalaren izaera: isolatugabea bada, ''junturadun'' esaten zaie, eta isolatua bada, ''ate isolatudun'' (horrelakoetan, kontrol-terminalari ''ate'' esaten zaio eta).
* Korrontean parte hartzen duten [[
{| class="wikitable"
|+ Lau transistore-mota nagusiak
|-
| '''Irizpideak''' || Bipolarra || Monopolarra
31 ⟶ 55 lerroa:
Bien arteko alde nabarmenena korrontea kontrolatzeko eran dago. Bipolarretan kontrol hori baseko korrontearen arabera egiten da eta eremu efektuko transistoreetan tentsioaren bidez egiten da (ateko tentsioa).
=== Junturadun Transistore
{| cellpadding="3px" style="float:right; margin-left: 1em; width: 25%;"
|- align = "center"
51 ⟶ 75 lerroa:
Transistorea etengailu elektroniko moduan ere erabili daiteke beraz, eta hau da izan ere elektronikan askotan erabiltzen den propietatea memoria eta beste motatako zirkuituen diseinuan.
▲== Eremu efektuko transistoreak (FET - Field-Effect Transistor) ==
{| cellpadding="3px" style="float:right; margin-left: 1em; width: 25%;"
|- align = "center"
61 ⟶ 84 lerroa:
| colspan="2" | <small>''Eremu efektuko transistoreak''</small>
|}
== Transistorearen agerpena ==▼
(Osatzeko)
▲=== Transistorearen agerpena ===
[[Walter Hoser Brattain]], [[John Bardeen]] eta [[William Bradford Shockley]]-k [[1948]]an asmatu zuten (1956 urtean jaso zuten Fisikako Nobel saria) eta iraultza bat izan zen [[informatika]]rako, zeren eta berari esker sortu ziren txipak eta txartel elektronikoak, eta hauekin batera, gero eta trinkoagoak ziren prozesatzeko unitateak. Honi guztiari teknologian izan zen hobekuntza gehitu behar zaio, (teknologia magnetikoa, optika eta magnetiko-optikozko disko gogorrak, [[CD]] eta [[dvd-rom]] ) Gainera, beste tresna eta periferiko batzuk sortu dira ere eta eurei esker ordenadoreak, testuaz gain, irudiak, soinua, grafikoak eta bideoa ere erabili ditzake.
| |||