Transistore: berrikuspenen arteko aldeak
Ezabatutako edukia Gehitutako edukia
t r2.7.2) (robota Aldatua: ku:Transîstor |
Mamia berregituratu dut (EHUko irakaslea naiz). Hurrengo batean jarraituko dut. |
||
1. lerroa:
[[Fitxategi:Transistor-photo.JPG|right|thumb|250px|Transistore mota ezberdinak]]
'''Transistore'''ak solido-egoerako dispositibo elektronikoak dira, hau da, material [[Erdieroale|erdieroalez]] ([[Silizioa|Silizioz]], batik bat) eginda daude. Gehienek hiru terminal dauzkate: mutur gisako bi eta kontrol-terminal bat. Muturren arteko [[Erresistentzia Elektrikoa|erresistentzia]] kontrol-terminalaren bidez eraldatzeko ahalmenean datza transistoreen erabilgarritasuna. Hain zuzen ere, '''transistore''' terminoa ''transfer resistor'' hitzen kontrakzioa da, ahalmen hori aditzera ematen duena.
'''Transistore''' hitza ''transfer resistor'' hitzaren kontrakzio bat da, hau da transferentzia [[erresistentzia (osagaia)|erresistentzia]]. Transistorea osagai elektroniko [[erdieroale]] bat da, anplifikadore edo kommutadore moduan erabiltzen dena. Gaur egungo [[elektronika]]n oinarrizko osagaia da eta bera erabiliz kommutadore elektroniko, ate logiko, memoria eta beste dispositibo asko lor daitezke. Zirkuitu analogikoen kasuan transistoreak anplifikadore, osziladore eta uhin sortzaile moduan erabiltzen dira.▼
== Motak eta Sailkapena ==
Hiru elektrodoko ([[triodo]]) [[huts balbula]]ren ordezkoa den transistore bipolarra [[Ameriketako Estatu Batuak|AEBtako]] Bell Laborategietan asmatu zuten [[1947]]an John Bardeen, Walter Houser Brattain, eta William Bradford Shockleyek. Hirurek [[Fisika]]ko [[Nobel Sari]]a irabazi zuten [[1956]]an.▼
Portaera interesgarri hori gauzatzeko, transistoreak [[Transistore Efektua|transistore efektuaz]] edota [[Eremu-Efektua|eremu-efektuaz]] balia daitezke. Lau transistore-mota nagusien kasuan, [[Junturadun Transistore Bipolarra|BJTak]] transistore efektuaz baliatzen dira, [[Junturadun Eremu-efektuko Transistorea|JFETak]] eta [[MOS egituradun Eremu-efektuko Transistorea|MOSFETak]], eremu-efektuaz, eta [[Ate Isolatudun Transistore Bipolarra|IGBTak]], efektu biez.
Bere asmatzaileek horrela deitu zioten erresistentzia igorle eta kolektore arteko [[intentsitate elektriko]]ren arabera aldatzeko propietarea zela eta.▼
Hala ere, transistoreak sailkatzeko komenigarriagoa da beste irizpide bi hauek erabiltzea:
Transistore bipolarrak hiru zati dauzka, triodoak bezala. Batek [[eramaile]]ak igortzen ditu (igorlea), beste batek jaso egiten ditu (kolektorea) eta hirugarrenak, beste bien artekoak, eroaleen jarioa kontrolatzen du (basea).▼
* Kontrol-terminalaren izaera: isolatugabea bada, ''junturadun'' esaten zaie, eta isolatua bada, ''ate isolatudun'' (horrelakoetan, kontrol-terminalari ''ate'' esaten zaio eta).
* Korrontean parte hartzen duten [[Eroale Elektrikoa|eroale]]-motak: mota bakar batekoak ([[Elektroi|elektroiak]] ''edo'' [[Hutsune_(Elektronika)|hutsuneak]]) badabiltza, ''monopolar'' esaten zaie, eta mota bietakoak (elektroiak ''eta'' hutsuneak) badabiltza, ''bipolar''.
{| class="wikitable"
Transistore bipolarretan igorle eta base arteko seinale elektriko txiki batek igorle eta kolektore arteko korrontea modulatzen du. Base-igorle seinalea oso txikia izan daiteke igorle-kolektorekoarekin alderatuta. Igorle-kolektoreko korrontea base-igorlekoaren oso antzekoa da "Beta" anplifikazio faktore batez anplifikatua.▼
|-
| '''Irizpideak''' || Bipolarra || Monopolarra
|-
| Junturaduna || BJTa || JFETa
|-
| Ate isolatuduna || IGBTa || MOSFETa
|}
== Erabilerak ==
Transitorea beraz anplifikadore moduan erabili daiteke. Gainera, anplifikadore guztiak bezala, [[osziladore]] moduan ere erabili daiteke, baita zuzentzaile eta on-off konmutadore moduan.▼
▲
Transistorea etengailu elektroniko moduan ere erabili daiteke beraz, eta hau da izan ere elektronikan askotan erabiltzen den propietatea memoria eta beste motatako zirkuituen diseinuan.▼
▲Hiru elektrodoko ([[triodo]]) [[huts balbula]]ren ordezkoa den transistore bipolarra [[Ameriketako Estatu Batuak|AEBtako]] Bell Laborategietan asmatu zuten [[1947]]an John Bardeen, Walter Houser Brattain, eta William Bradford Shockleyek. Hirurek [[Fisika]]ko [[Nobel Sari]]a irabazi zuten [[1956]]an.
== Bestelako jakingarriak ==
Transistore mota ezberdinak daude, bipolarrak edo BJT (''bipolar junction transistor'') eta eremu efektuko transistorea edo FET (''field effect transistor''), honen barruan beste mota gehiago daudelarik. Adibidez: JFET, MOSFET, MISFET, e.a.
30 ⟶ 40 lerroa:
| colspan="2" | <small>''PNP eta NPN BJT transistoreen zeinu eskematikoak. B=Base, C=Collector y E=Emmiter''</small>
|}
▲Bere asmatzaileek horrela deitu zioten erresistentzia igorle eta kolektore arteko [[intentsitate elektriko]]ren arabera aldatzeko propietarea zela eta.
▲Transistore bipolarrak hiru zati dauzka, triodoak bezala. Batek [[eramaile]]ak igortzen ditu (igorlea), beste batek jaso egiten ditu (kolektorea) eta hirugarrenak, beste bien artekoak, eroaleen jarioa kontrolatzen du (basea).
▲Transistore bipolarretan igorle eta base arteko seinale elektriko txiki batek igorle eta kolektore arteko korrontea modulatzen du. Base-igorle seinalea oso txikia izan daiteke igorle-kolektorekoarekin alderatuta. Igorle-kolektoreko korrontea base-igorlekoaren oso antzekoa da "Beta" anplifikazio faktore batez anplifikatua.
▲Transitorea beraz anplifikadore moduan erabili daiteke. Gainera, anplifikadore guztiak bezala, [[osziladore]] moduan ere erabili daiteke, baita zuzentzaile eta on-off konmutadore moduan.
▲Transistorea etengailu elektroniko moduan ere erabili daiteke beraz, eta hau da izan ere elektronikan askotan erabiltzen den propietatea memoria eta beste motatako zirkuituen diseinuan.
== Eremu efektuko transistoreak (FET - Field-Effect Transistor) ==
| |||